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三星将成为第一家实施Gate-All-Around晶体管(称为MBCFET)的公司,其即将推出的3nm节点计划于2022年上半年上线。第二代3nm节点计划于2023年推出,而第二代3nm节点计划在nm节点应在2025年准备就绪。另一方面,台积电将仅采用GAA技术,其2nm节点计划于2024年完成。
在其第5届年度代工论坛活动中,三星发布了有关迁移到基于Gate-All-Around晶体管结构的3nm和2nm高级节点的最新信息。三星尚未证明其5nm节点是台积电N5节点的可行替代品,后者用于生产Apple最新的移动SoC。随着两家顶级代工厂之间的竞争变得更加激烈,三星现在正试图通过推动采用GAA技术领先于台积电一代来证明其优势,台积电仍计划在即将推出的N3中使用古老的FinFET晶体管节点。
三星指定其GAA技术现在称为MBCFET(多桥通道FET)。作为第一个使用MBCFET的节点,三星的3nm制造工艺据称将逻辑面积减少了35%,同时与当前的5nm节点相比,性能提高了30%,并且功耗要求降低了50%。此外,工艺成熟度也有所提高,因为3nm节点已经接近与最近上线量产的中间4nm节点相似的逻辑良率水平。
就像台积电的N3节点一样,三星的3nm工艺计划在2022年上半年开始生产客户芯片设计。预计2023年会有第二代3nm节点上线,三星估计2nm节点集成精制的MBCFET技术应该准备在2025年实现量产。另一方面,台积电计划在其预计2024年上线的N2节点中首次集成GAA晶体管。
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