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三星7纳米EUV扭转了77%的利润下降趋势并于第四季度开始交付

2021-05-10 11:21:18 信息互动 来源:
导读 在移动半导体制造中,长期以来,有两个参与者一直主导着这一频谱。韩国科技巨头三星和公司台积电(TSMC)处于领先地位,来自和的公司无法生产

在移动半导体制造中,长期以来,有两个参与者一直主导着这一频谱。韩国科技巨头三星和公司台积电(TSMC)处于领先地位,来自和的公司无法生产出尖端的硅。台积电最近崛起,主要有两个原因。首先,它可以使苹果与高通有效竞争,其次,它可以使AMD在高端PC处理器上提高性能。

三星今年没有率先交付7nm EUV产品,因此,台积电(TSMC)获得了优势。.现在,我们获得了有关三星半导体制造的更多详细信息,尤其是有关其7nm EUV节点的信息。它将在未来的Qualcomm和Nvidia产品上使用,因此7纳米EUV将塑造移动和台式机/服务器级硬件的未来。请在下面查看更多详细信息。

三星半导体没有从出售芯片中获得大部分利润。相反,该公司依靠内存生产来产生真实的现金。三星半导体部门在其第三季度收益中报告,其利润为3.05万亿韩元(合1美元= 1,169₩),比去年同期大幅下降了77%。

在宣布收益的同一天,三星还提供了其7纳米EUV的量产时间表。该公司没有生产基于DUV的7nm变体,而是从头开始设计了7nm。三星昨日表示,7nm EUV的大规模生产将在该公司的2019年第四季度开始,其中一个月已经过去了。

三星晶体管图形

台积电的N7 +(7nm EUV)工艺使用极紫外光(四层),并且该工厂打算将其提高到15nm(5nm)。三星尚未提供有关EUV实施的任何详细信息,但鉴于该公司的资源以及花费在对设备进行微调上的时间,三星有可能将EUV的用途扩展到更多层次。

说到这一点,三星还声称已经完成了5纳米制程的开发,并获得了通过其开发的产品的客户。该公司到目前为止尚未淘汰5nm,而淘汰时间将让我们确定其与节点开发的距离。

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三星的5nm节点超过了台积电的7nm和英特尔的10nm产品的晶体管密度。南亚财阀的半导体部门可以每平方毫米挤入1.3亿个晶体管。台积电将通过密度为173MT /mm²的5nm节点(N5)与三星 并驾齐驱。三星真正的王牌将是3nm全能门。IBM和三星在2017年共同宣布了全球首个5nm全能FET芯片。该芯片可在1mm²的空间内封装6亿个晶体管。该公司认为3nm将使它的7nm EUV的核心面积和功耗减少一半。

如果一切顺利,三星将在今年年底开始交付通过此过程制造的Exynos 990。Sammy于2018年推出了7nm EUV,并于 今年早些时候宣布量产。因此,快速搅拌芯片应该不是问题。


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