0.2nm原子层厚度工艺突破

6月10日消息，在2nm及以下的先进工艺的竞争中，日本除了Rapidus公司依靠IBM技术之外还有多家机构在自研技术，东京科技大学日前就实现了GAA晶体管工艺中的一次重要突破。东京科技大学电气电子系的教授星井拓也及多家技术团队这次的突破就在于将绝缘层厚度进一步缩小到了0.2nm，相当于1个原子层的厚度，让GAA晶体管密度进一步提升。根据IRDS的路线图，2nm以下的工艺整体的EOT尺寸需要缩小到了0.9nm，当前的技术也就做到了1.4nm，因此这次厚度缩减到0.2nm也是一个重要突破。他们的研究成果已经入选了2026年的VLSI Symposium国际会议，会在6月14日到18日的会议上公布更多详情。