内存价格将涨至2027年中，但增速放缓

8月11日消息，据媒体报道，高盛分析师Sean Johnstone在一份报告中表示，市场对内存价格后续走势存在显著分歧，多空双方论据各有支撑。乐观方认为，HBM和DRAM的订单能见度已延伸至2027年，长协价格锁定底部利润，内存仍有70%–80%的上涨空间；悲观方则指出，价格二阶导已转负，涨价速度在放缓，预计明年Q2或Q3见顶，随后小幅回落。高盛在报告中给出的核心判断是：内存上涨趋势将至少维持至2027年中，但“稀缺”带来的超额阶段已结束。保守投资者已将板块市盈率预期从5倍压缩至2–3倍。此外，马斯克近日指出内存需求激增200%、供给仅增20%的失衡格局，且产能集中在HBM。