长电科技突破高深宽比TSV技术

8月19日消息，长电科技宣布，在高深宽比先进TSV 技术研发领域取得重要进展，已与合作伙伴共同完成样品试制。该方案面向2.5D/3D先进封装、硅基互连及多维异质异构集成等高端应用，旨在强化公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片提供更完整、灵活的一站式制造支撑。制备的TSV孔径为1.5微米，深度17微米，深宽比达到11.3:1。试制结果充分验证了长电科技在业界领先的小孔径、高深宽比TSV工艺研发与协同验证能力。高深宽比TSV的研发涉及多道晶圆级工艺，各环节耦合紧密，技术门槛较高。高深宽比TSV技术可重点赋能两类先进封装方向：一是3D堆叠集成——在下层晶圆或芯片中制备TSV，实现芯片间垂直电气连接。高深宽比TSV试制样品截面图