HBM现货价暴涨至合约五倍

9月1日消息，据媒体报道，用于AI加速器的高带宽内存 等DRAM产品价格持续飙升。近日业界指出，合计占据全球存储芯片市场约70%份额的三星电子与SK海力士，已难以跟上激增的DRAM需求，供需缺口仍在扩大。平均单价由16.76美元涨至22.90美元，涨幅达36.6%。媒体报道指出，量减价涨的背离，源于HBM4向英伟达等大客户的供货放量：HBM4仍处于量产初期，良率低于上一代HBM3E，生产中消耗的DRAM晶圆更多，这令DRAM的整体短缺进一步加深。现货市场的价格信号更为剧烈。存储市场研究机构MegaGrid Supply最新数据显示，36GB的HBM3E现货售价已达2100美元，是其长期合约价格的四到五倍，凸显供需失衡之严重。”这意味着DRAM高景气周期仍将在未来一段时间内延续。