三星HBM5性能目标达HBM4E两倍

9月2日消息，在SEMICON Taiwan 2026展前峰会“Memory Executive Summit”上，三星正式公布了新一代3D存储器战略框架——CUBE，并同步展示了HBM5、zHBM及zNAND-O的技术路线图。这一系列布局标志着三星正以架构级创新为核心，全面争夺AI时代的存储器市场主导权。作为传统HBM路线的延续，三星计划将下一代HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，同时每瓦性能提高20%，热阻降低20%。三星为zHBM设定的性能目标极具挑战性：性能达到HBM4E的约8倍，每瓦性能达HBM4E的约3倍，热阻降低75%–90%这一路线若能顺利落地，将极大缓解AI加速器在带宽、功耗和散热方面的三重瓶颈，为超大规模模型训练提供全新的内存架构底座。该技术旨在实现比特密度达到DRAM的10倍，同时将读取带宽和能效分别提升至传统NAND的7倍。