AMD混合键合3D DRAM：能效碾压HBM但商用难期

9月2日消息，AMD近日在内部技术研讨会上披露了一项令人振奋的实验数据：基于混合键合 技术的3D DRAM架构，其能效相比传统HBM堆栈最高可提升17倍。AMD提出的混合键合3D DRAM则完全颠覆了这一设计。虽然前景诱人，但3D DRAM距离大规模量产仍有很长一段路要走。在混合键合的加热处理阶段，高温会导致DRAM单元的电荷保持能力下降。将发热大户DRAM直接堆叠在同样炙热的计算芯片上方，热量很难有效散出。因此，如何在实现高效能键合的同时保证DRAM的稳定性，是AMD和整个行业亟待攻克的难题。从在CPU上堆叠SRAM缓存，到如今探索在XPU上堆叠DRAM，AMD正在用垂直空间换取性能与能效的突破。可以预见，一旦散热问题得到解决，3D DRAM将彻底改写未来AI芯片和HPC处理器的内存架构。