
6月23日消息,三星电子宣布已开发出业界首款通用闪存存储 5.0产品系列,专为设备端AI优化,可支撑设备内部高速AI计算处理。UFS 5.0基于三星第九代V-NAND闪存技术开发,遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准。其数据传输带宽达10.8GB/s,顺序读取速度10.8GB/s,顺序写入速度9.5GB/s,较上一代UFS 4.1性能翻倍。能效方面,UFS 5.0较上一代提升超40%。封装尺寸仅7.5mm×13mm×0.9mm,比前代缩小16.7%。三星计划今年第四季度启动UFS 5.0量产,供应范围将覆盖旗舰智能手机、XR头显及AI可穿戴设备等下一代终端市场。据TrendForce数据,三星电子今年第一季度以31.6%的市场份额位居NAND闪存市场榜首,营收约135亿美元,较上一季度增长104.7%。