麒麟9030工艺揭秘：无EUV超越英特尔

7月23日消息，专业半导体分析机构SemiAnalysis对麒麟9030手机SoC进行了拆解分析，揭示了中芯国际第三代7nm级工艺N+3的关键技术指标。结果显示，N+3的最小金属间距达到32.5nm，比Intel 18A工艺用于Panther Lake高性能单元的约36nm间距还要紧凑。不过目前能确认的是，N+3的估计晶体管密度约为113.4 Mtr/mm²，高于台积电N6工艺的107.7 Mtr/mm²。这些手段确实能增加晶体管密度，但代价是工艺复杂度上升、成本增加、良率风险加剧以及设计约束增多。不过晶体管密度并不等于整体工艺竞争力，虽然麒麟9030布局更紧凑，但其性能仅与大约三年前的旗舰应用处理器相当，能效与苹果、高通、联发科和三星的旗舰存在明显差距。