SK海力士启动3D堆叠DRAM开发

7月24日消息，SK海力士正在推进一项面向端侧AI的新型内存技术 3D堆叠DRAM，并已开始招聘相关工程师，与美国客户联合设计芯片方案。从SK海力士发布的招聘信息来看，公司正在美国圣何塞招募3D堆叠DRAM-on-Logic设计工程师，岗位职责包括与美国客户密切合作，主导相关逻辑芯片的联合设计。今年4月，SK海力士管理层也曾公开提到，除了定制化HBM之外，公司还在推进高带宽闪存HBF以及3D堆叠DRAM-on-Logic等新方案，目标是针对不同AI负载提供更合适的存储产品。整体来看，如果说HBM主要受益于数据中心AI，那么3D堆叠DRAM瞄准的则是智能手机、可穿戴设备和机器人等端侧AI市场。