长鑫转向定制化3D DRAM，挑战三星SK海力士

7月25日消息，美国出口管制切断了长鑫存储获取HBM制造工具的渠道，使其在主流AI内存市场难以与三星、SK海力士直接竞争。面对这一困境，长鑫存储正转向定制化DRAM寻求突破。不少无晶圆厂芯片设计公司已就此类定制化设计向三星提出合作意向，但三星和SK海力士目前均采取审慎态度。转向高度定制化的3D DRAM市场不仅违背其成熟商业模式，还带来巨大研发与市场风险。值得一提的是，中国半导体厂商已研制出多款3D DRAM样品芯片并开始对接客户项目。这种避险策略，很可能让三星和SK海力士在下一个赛道栽跟头。长鑫的定制化路线一旦跑通，就不会再回到韩国厂商统治的标准化DRAM战场。等到那时，三星和SK海力士想追都追不上。