三星已经展示了其首个基于新的High-K Metal Gate(HKMG)工艺的512GB DDR5内存模块。 DDR5是DRAM(动态随机存取存储器)中的新标准，旨在满足超级计算，人工智能(AI)和机器学习(ML)以及数据分析应用中对计算量大，高带宽工作负载的需求。

作为流行的DDR4的继任者，DDR5有望以每秒7200兆位(Mbps)的速度将性能提高一倍，这足以以一秒钟的速度处理两部30GB超高清电影，而新的HKMG解决方案有助于降低漏电。

DDR内存可以在一个时钟周期内两次发送和接收数据信号，并允许更快的传输速率和更高的容量。

HKMG技术传统上用于逻辑半导体，它利用绝缘层中的高介电材料来减少电流泄漏。

在DRAM结构中，该绝缘层变薄，这通常会导致更高的泄漏电流。但是，随着新的DDR5的出现，三星现在已经用HKMG材料代替了绝缘子，不仅减少了泄漏，而且耗电更少，从而使其成为能源效率日益重要的数据中心的理想之选。

HKMG流程于2018年在业界首次在三星的GDDR6内存中采用，然后扩展到DDR5内存。三星表示，它还为最新的DDR5存储器应用了硅直通(TSV)技术，以堆叠八层16千兆位DRAM芯片，从而实现了业界最大的512GB容量。

除了512GB模块外，三星目前还向客户提供其DDR5内存产品系列的不同版本，以供客户进行验证和认证，其中包括英特尔等合作伙伴。

“英特尔的工程团队与三星等存储器领导者紧密合作，提供了快速，省电的DDR5存储器，该存储器经过性能优化，并与我们即将推出的代号为Sapphire Rapids的英特尔至强可扩展处理器兼容，”副总裁兼总经理英特尔内存和IO技术经理。

三星的DDR5还具有纠错码(ECC)电路，以增强可靠性，其硬件有望为医疗研究，金融市场，自动驾驶和智慧城市等所需的计算机供电。

三星基于HKMG的512GB DDR5内存仍处于验证阶段，但可能会在2021年下半年投放市场。

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